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公开(公告)号：CN115394778A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210539620.7
申请日：2022-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/285 , H01L29/49
Abstract: 一种集成电路装置包括：衬底，其包括由器件隔离层限定的有源区，衬底限定跨过有源区延伸的栅极沟槽；栅极电介质层，其保形地覆盖栅极沟槽的内表面；以及栅电极，其填充栅极电介质层上的栅极沟槽。栅电极由单金属的晶粒构成，并且晶粒中的至少一个的对角线长度大于与栅电极接触的有源区的高度。
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