公开(公告)号：CN112368853B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN201980044872.9

申请日：2019-06-05

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 赵荣庆 ,  金亨宣 ,  张起砲 ,  梁容卓 ,  郑镐国 ,  许达灏 ,  高宗勋 ,  柳真铉 ,  李美真 ,  郑成显 ,  赵平锡

IPC: H10K85/60 ,  H10K50/11

Abstract: 本发明涉及由化学式1表示的用于有机光电元件的化合物、用于有机光电元件的组合物、有机光电元件和显示装置，该组合物包含由化学式1表示的化合物。化学式1的描述如说明书中限定。

公开(公告)号：CN112368853A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201980044872.9

申请日：2019-06-05

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 赵荣庆 ,  金亨宣 ,  张起砲 ,  梁容卓 ,  郑镐国 ,  许达灏 ,  高宗勋 ,  柳真铉 ,  李美真 ,  郑成显 ,  赵平锡

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明涉及由化学式1表示的用于有机光电元件的化合物、用于有机光电元件的组合物、有机光电元件和显示装置，该组合物包含由化学式1表示的化合物。化学式1的描述如说明书中限定。

公开(公告)号：CN101799784A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN201010105764.9

申请日：2010-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄珠荣 ,  李美真 ,  金弘国

IPC: G06F12/02

CPC classification number: G11C16/349 ,  G11C16/3495 ,  G11C29/88 ,  G11C29/883

Abstract: 本发明公开了一种包括NVRAM和页表的存储器装置以及该装置的损耗平均方法。页表包括将NVRAM的虚拟地址映射到NVRAM的物理地址的映射信息。页表的项包括指示对应页的损耗的年龄信息。年龄信息可为对应的页允许的写入操作的剩余次数。每当在页上写入数据时，该页允许的写入操作的剩余次数被减小。