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公开(公告)号：CN118099163A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311594013.1
申请日：2023-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/423 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：基板，包括单元设置区和第一块边界区；多个栅电极，在单元设置区上并且在第一方向上延伸到第一块边界区以彼此平行，栅电极包括彼此相邻的第一栅电极和第二栅电极；以及在第一块边界区上的第一连接结构，其中第一连接结构被配置为将第一栅电极和第二栅电极彼此物理连接。
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