公开(公告)号：CN1534769A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410032000.6

申请日：2004-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李龙圭 ,  韩晶昱 ,  姜盛泽 ,  李种德 ,  朴炳国

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: 一种利用反向自对准过程制造双ONO形式的SONOS存储器的方法，其中，在栅极下面形成一ONO电介质层，并且不论光刻极限如何，利用反向自对准过程，将该ONO电介质层实际上分开为两个部分。为了容易进行反向自对准，采用用于确定ONO电介质层的宽度的缓冲层和隔片。这样，可以适当地调整在编程和擦试过程中，俘获的电荷的分散，从而改善SONOS的特性，本发明可以防止在编程和擦试操作后，随着时间变化电荷的再分布。

公开(公告)号：CN100345284C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200410032000.6

申请日：2004-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李龙圭 ,  韩晶昱 ,  姜盛泽 ,  李种德 ,  朴炳国

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: 一种利用反向自对准过程制造双ONO形式的SONOS存储器的方法，其中，在栅极下面形成一ONO电介质层，并且不论光刻极限如何，利用反向自对准过程，将该ONO电介质层实际上分开为两个部分。为了容易进行反向自对准，采用用于确定ONO电介质层的宽度的缓冲层和隔片。这样，可以适当地调整在编程和擦试过程中，俘获的电荷的分散，从而改善SONOS的特性，本发明可以防止在编程和擦试操作后，随着时间变化电荷的再分布。