公开(公告)号：CN1090672A

公开(公告)日：1994-08-10

申请号：CN93121528.5

申请日：1993-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴奎灿 ,  李礼承 ,  潘天洙 ,  李庚旭

IPC: G11C21/00 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10858 ,  H01L27/1082

Abstract: 以绝缘体附硅制造DRAM的方法，步骤为：在第一硅衬底上划分单元区域与外围区域并形成存储器件区域的下凹；隔离各电元件形成第一绝缘层以划分有源与无源区；有源区与电容器在第一绝缘层上连接处形成电容的电介质层；电介质层上成型多晶硅层以形成存储节点；极板节点上形成第二绝缘层并以热处理平整化；已平整的绝缘层上形成第三导电层达预定厚度并将其抛光平整；以第二绝缘层为蚀刻阻挡层；平整第一硅衬底背面显露有源区；并在形成位线同时形成开关元件。

公开(公告)号：CN1036227C

公开(公告)日：1997-10-22

申请号：CN93121528.5

申请日：1993-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴奎灿 ,  李礼承 ,  潘天洙 ,  李庚旭

IPC: G11C11/404

CPC classification number: H01L27/10858 ,  H01L27/1082

Abstract: 以绝缘体附硅制造DRAM的方法，步骤为；在第一硅衬底上划分单元区域与外围区域并形成存储器件区域的下凹；隔离各电元件形成第一绝缘层以划分有源与无源区；有源区与电容器在第一绝缘层上连接处形成电容的电介质层；电介质层上成型多晶硅层以形成存储节点；极板节点上形成第二绝缘层并以热处理平整化；已平整的绝缘层上形成第三导电层达预定厚度并将其抛光平整；以第二绝缘层为蚀刻阻挡层；平整第一硅衬底背面显露有源区；并在形成位线同时形成开关元件。