公开(公告)号：CN1181648A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN97117753.8

申请日：1997-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李金姬 ,  申铉国 ,  李用熙

IPC: H01S3/101

CPC classification number: H01S5/0264 ,  H01L31/173 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/18308

Abstract: 一种光发射装置,包括表面发射激光器和监控光探测器,其中该表面发射激光器包括衬底、第一反射层、有源层和第二反射层、第一和第二电极,该激光器在叠层方向上发光;探测表面发射激光器的发射光量的监控光探测器包括第一半导体材料层、一吸收层和第二半导体材料层、第三电极;以及一形成在吸收层底部且截取一部分入射光的控制层。

公开(公告)号：CN1159808C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN96103174.3

申请日：1996-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李用熙 ,  申铉国

IPC: H01S3/085 ,  H01S3/18

CPC classification number: H01S5/18377 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/18375 ,  H01S5/2063 ,  H01S2301/166

Abstract: 提供了一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，它具有基片、由含杂质的半导体材料形成的第一反射层、第一反射层之上的活性层、活性层之上由含有与用于第一反射层的半导体材料所含杂质的类型相反的杂质的半导体材料所形成的第二反射层、以及第二反射层之上具有发射来自第二反射层的光的腔的电极层。电极层具有导电性高并与外部电源相连的金属层和金属层之下并具有低于两个反射层反射率的导电性辅助反射层。

公开(公告)号：CN1137188A

公开(公告)日：1996-12-04

申请号：CN96103174.3

申请日：1996-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李用熙 ,  申铉国

IPC: H01S3/085 ,  H01S3/18

CPC classification number: H01S5/18377 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/18375 ,  H01S5/2063 ,  H01S2301/166

Abstract: 提供了一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，它具有基片、由含杂质的半导体材料形成的第一反射层、第一反射层之上的活性层、活性层之上由含有与用于第一反射层的半导体材料所含杂质的类型相反的杂质的半导体材料所形成的第二反射层、以及第二反射层之上具有发射来自第二反射层的光的腔的电极层。电极层具有导电性高并与外部电源相连的金属层和金属层之下并具有低于两个反射层反射率的导电性辅助反射层。

公开(公告)号：CN1078016C

公开(公告)日：2002-01-16

申请号：CN97117753.8

申请日：1997-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李金姬 ,  申铉国 ,  李用熙

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/0683

CPC classification number: H01S5/0264 ,  H01L31/173 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/18308

Abstract: 一种光发射装置，包括表面发射激光器和监控光探测器；其中该表面发射激光器包括衬底、第一反射层、有源层和第二反射层、第一和第二电极，该激光器在叠层方向上发光；探测表面发射激光器的发射光量的监控光探测器包括第一半导体材料层、一吸收层和第二半导体材料层、第三电极；以及一形成在吸收层底部且截取一部分入射光的控制层。