公开(公告)号：CN118591895A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202280089736.3

申请日：2022-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍雄 ,  刘昇炫 ,  全钟必 ,  南宫墉

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L25/075 ,  H01L33/08 ,  H01L27/15

Abstract: 公开了一种发射红色波段的光的发光二极管。该发光二极管可以包括：第一半导体层，具有发光表面；第二半导体层；有源层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间；第一接触电极，连接到第一半导体层；第二接触电极，连接到第二半导体层；第一连接焊盘，连接到第一接触电极；以及第二连接焊盘，连接到第二接触电极，其中，电流集中区域可以位于第一连接焊盘与第二连接焊盘之间。

公开(公告)号：CN118259827A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202310994978.3

申请日：2023-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍雄

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开了一种存储设备、其操作方法和电子设备。一种存储设备包括：主存储器，包括没有被掩蔽的第一段和被掩蔽的第二段；高速缓存存储器，被配置为存储主存储器中存储的一些元数据；以及存储器控制器，被配置为响应于高速缓存未命中发生，对于要被存储在第二段中的脏元数据，在重映射表中将第二段的物理地址映射到第一段的物理地址。

公开(公告)号：CN109726147B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201811176645.5

申请日：2018-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炯佑 ,  朴炯俊 ,  李珍雄

IPC: G06F12/0868 ,  G06F11/10

Abstract: 一种计算设备包括主存储器、处理器和高速缓冲存储器。该主存储器存储数据和用于检查该数据的错误奇偶校验位，并发送和接收以参考大小的数据和奇偶校验位。该处理器访问该主存储器，并且该高速缓冲存储器高速缓存该数据。如果该处理器请求对当前数据的写入操作，则将该当前数据被存储到该高速缓冲存储器，并且该高速缓冲存储器将存储的当前数据改变为参考大小，并将改变为参考大小的当前数据输出到主存储器。该当前数据的大小小于参考大小。

公开(公告)号：CN109726147A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811176645.5

申请日：2018-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炯佑 ,  朴炯俊 ,  李珍雄

IPC: G06F12/0868 ,  G06F11/10

Abstract: 一种计算设备包括主存储器、处理器和高速缓冲存储器。该主存储器存储数据和用于检查该数据的错误奇偶校验位，并发送和接收以参考大小的数据和奇偶校验位。该处理器访问该主存储器，并且该高速缓冲存储器高速缓存该数据。如果该处理器请求对当前数据的写入操作，则将该当前数据被存储到该高速缓冲存储器，并且该高速缓冲存储器将存储的当前数据改变为参考大小，并将改变为参考大小的当前数据输出到主存储器。该当前数据的大小小于参考大小。