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发明公开
半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN119108399A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410504988.9

申请日：2024-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昊俊 , 李炫宇

IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L21/8238

Abstract: 半导体器件可以包括：衬底，包括有源图案；器件隔离层，限定有源图案；沟道图案，在有源图案上；栅电极，在沟道图案上；以及穿透栅电极的第一隔离图案和第二隔离图案。第一隔离图案可以延伸到器件隔离层中，并且第二隔离图案可以设置为穿透栅电极和器件隔离层，并且可以延伸到衬底的上部中。第二隔离图案的底表面的水平可以低于器件隔离层的底表面的水平。

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