公开(公告)号：CN110618952B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN201910123792.4

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李澈 ,  金敬镐 ,  金石焕 ,  黄珠荣

IPC: G06F13/16 ,  G06F13/24

Abstract: 提供了一种半导体装置、主机装置和半导体系统。半导体装置包括：非易失性存储器；装置接口电路，从主机接收输入/输出(I/O)请求；以及装置控制器，根据I/O请求对非易失性存储器执行数据访问，并且在完成数据访问之前的预定时间向主机发送中断。

公开(公告)号：CN110688324B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN201910338020.2

申请日：2019-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高旼奭 ,  黄珠荣 ,  都仁焕 ,  李澈 ,  崔宰润

IPC: G06F12/02

Abstract: 一种固态驱动器包括：多个非易失性存储器，所述非易失性存储器中的每一个包括通道，所述通道包括连接到管芯的至少一个通路；主机接口，从主机接收流数据和流信息；以及资源分配器，基于所述流信息将所述流数据分配给所述多个非易失性存储器的超级块，其中第一超级块包括第一单位超级块，以及所述第一单位超级块包括第一管芯的块，所述第一管芯对应于第一通道并且连接到包括在所述第一通道中的多个通路。

公开(公告)号：CN107015886B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201611028600.4

申请日：2016-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李尚勇 ,  姜信旭 ,  李澈

IPC: G06F11/14 ,  G06F3/06

Abstract: 一种存储设备包括排列为页和块的多个存储单元，每页包括一行存储单元并且每块包括多页存储单元。该存储设备包括包含这些项的存储器设备，诸如非易失性存储器设备。一种用于存储设备的数据恢复方法包括由存储设备接收与第一选择的数据恢复方案相对应的第一命令。基于第一命令：应用用于对多个块执行错误检测的第一目标页方案；使用第一目标页方案读取目标页以及检测每个读取的目标页中的错误的量。此外，确定第一块的目标页具有至少第一阈值量的错误，并且基于该确定，通过将第一块中存储的全部数据重定位到另一块来执行对于第一块的数据恢复。此外，确定在第二块中没有读取页具有至少第一阈值量的错误，结果维持第二块中存储的数据。

公开(公告)号：CN110618952A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910123792.4

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李澈 ,  金敬镐 ,  金石焕 ,  黄珠荣

IPC: G06F13/16 ,  G06F13/24

Abstract: 提供了一种半导体装置、主机装置和半导体系统。半导体装置包括：非易失性存储器；装置接口电路，从主机接收输入/输出(I/O)请求；以及装置控制器，根据I/O请求对非易失性存储器执行数据访问，并且在完成数据访问之前的预定时间向主机发送中断。

公开(公告)号：CN109213440A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810714290.4

申请日：2018-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇佑 ,  文贵妍 ,  李澈

IPC: G06F3/06 ,  G06F11/10

Abstract: 一种存储器系统包括：非易失性存储器；存储器控制器，被配置为控制所述非易失性存储器，所述存储器控制器包括：第一缓冲存储器，用于临时存储要写入所述非易失性存储器的写入数据；和第二缓冲存储器，具有比所述第一缓冲存储器低的操作速度但高的存储容量。所述存储器控制器被配置为将所述写入数据从所述第一缓冲存储器传输到第二缓冲存储器和传输到所述非易失性存储器，并且在将所述写入数据从所述第一缓冲存储器传输到所述第二缓冲存储器和传输到所述非易失性存储器之后释放所述第一缓冲存储器的操作状态。在释放所述第一缓冲存储器的操作状态之前禁止向所述第一缓冲存储器写入额外的写入数据，并且在释放所述第一缓冲存储器的操作状态之后允许向所述第一缓冲存储器写入额外的写入数据。

公开(公告)号：CN107015886A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611028600.4

申请日：2016-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李尚勇 ,  姜信旭 ,  李澈

IPC: G06F11/14 ,  G06F3/06

CPC classification number: G06F3/061 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1068 ,  G11C29/42 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/0409 ,  G11C2029/0411 ,  G06F11/1489 ,  G06F3/0607

Abstract: 一种存储设备包括排列为页和块的多个存储单元，每页包括一行存储单元并且每块包括多页存储单元。该存储设备包括包含这些项的存储器设备，诸如非易失性存储器设备。一种用于存储设备的数据恢复方法包括由存储设备接收与第一选择的数据恢复方案相对应的第一命令。基于第一命令：应用用于对多个块执行错误检测的第一目标页方案；使用第一目标页方案读取目标页以及检测每个读取的目标页中的错误的量。此外，确定第一块的目标页具有至少第一阈值量的错误，并且基于该确定，通过将第一块中存储的全部数据重定位到另一块来执行对于第一块的数据恢复。此外，确定在第二块中没有读取页具有至少第一阈值量的错误，结果维持第二块中存储的数据。

公开(公告)号：CN105718381A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510968903.3

申请日：2015-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李澈 ,  姜南旭 ,  都仁焕 ,  朴赞益

IPC: G06F12/02 ,  G11C16/34

Abstract: 一种操作存储设备的方法，包括：当指向存储块的存储单元的两个连续编写操作之间的编写间隔小于最小编写间隔时，和/或当指向存储块的两个连续擦除操作之间的擦除间隔小于最小擦除间隔时，计数针对存储块的快周期数，并且响应于针对存储块的快周期计数，选择要被擦除操作擦除的存储块或选择要被编写操作编写的存储块的存储单元。

公开(公告)号：CN106484320B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201610796626.7

申请日：2016-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文相权 ,  李澈 ,  崔贤镇

IPC: G06F3/06

Abstract: 一种存储设备，包括闪速存储器和存储器控制。闪速存储器包括多个存储器块。存储器控制器被配置为确定与多个存储器块之中的所选择的存储器块的重用时段相对应的快速循环权重，并且使用快速循环权重来管理所选择的存储器块的耗损均衡。

公开(公告)号：CN105718381B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201510968903.3

申请日：2015-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李澈 ,  姜南旭 ,  都仁焕 ,  朴赞益

IPC: G06F12/02 ,  G11C16/34

Abstract: 一种操作存储设备的方法，包括：当指向存储块的存储单元的两个连续编写操作之间的编写间隔小于最小编写间隔时，和/或当指向存储块的两个连续擦除操作之间的擦除间隔小于最小擦除间隔时，计数针对存储块的快周期数，并且响应于针对存储块的快周期计数，选择要被擦除操作擦除的存储块或选择要被编写操作编写的存储块的存储单元。

公开(公告)号：CN110928487A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910890993.7

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金石焕 ,  宋容佶 ,  李澈 ,  黃珠荣

IPC: G06F3/06 ,  G06F1/30

Abstract: 提供了一种存储装置和存储装置的操作方法。所述存储装置包括：非易失性存储器装置；随机存取存储器，其包括第一区和第二区；以及控制器，其被构造为使用随机存取存储器的第一区作为用于指示第二区的数据修改的日志的日志存储器，将非易失性存储器装置的用户区暴露于外部主机装置作为块单位的第一访问区，并将随机存取存储器的第二区暴露于外部主机装置作为块单位的第二访问区和字节单位的第三访问区二者。