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公开(公告)号：CN115985913A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211248215.6
申请日：2022-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：下纳米片；在下纳米片上的上纳米片；在基板上并提供在每个纳米片周围的栅电极；在第一栅电极和第二栅电极的第一侧的第一下源极/漏极区；在第一栅电极和第二栅电极的第二侧的第二下源极/漏极区；在第一下源极/漏极区上的第一上源极/漏极区；以及在第二下源极/漏极区上的第二上源极/漏极区。第二下源极/漏极区的第一长度大于第二上源极/漏极区的第二长度。
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公开(公告)号：CN115810631A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210722726.0
申请日：2022-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置和制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：有源图案，在基底上；源极/漏极图案，在有源图案上；栅电极，在连接到源极/漏极图案的沟道图案上；有源接触件，在源极/漏极图案上；第一下互连线，在有源接触件上；第二下互连线，在栅电极上；第一间隔件，在栅电极与有源接触件之间；以及第二间隔件，与第一间隔件分隔开，并且栅电极或有源接触件置于其间。栅电极包括电极主体部和从其顶表面突出且接触第二下互连线的电极突出部。有源接触件包括接触件主体部和从其顶表面突出且接触第一下互连线的接触件突出部。第一间隔件的顶表面比第二间隔件的顶表面高。
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公开(公告)号：CN116741771A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202211532530.1
申请日：2022-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/06
Abstract: 提供三维半导体装置。所述三维半导体装置包括：第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案、第三源极/漏极图案和第四源极/漏极图案，顺序地堆叠在基底上；接触结构，在第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案上；和接触线，在接触结构上。接触结构包括：第一源极/漏极图案上的第一有源接触件、第二源极/漏极图案上的第二有源接触件、第三源极/漏极图案上的第三有源接触件、和第四源极/漏极图案上的第四有源接触件。第一有源接触件的第一垂直延伸部分邻近于接触结构的一侧，第二有源接触件的第二垂直延伸部分邻近于接触结构的另一侧。第三有源接触件的第三垂直延伸部分置于第一垂直延伸部分与第二垂直延伸部分之间，更靠近第一垂直延伸部分。
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公开(公告)号：CN119730369A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411338945.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/83 , H10D64/20 , H10D64/23 , H10D64/27 , H01L23/528
Abstract: 提供了包括背面供电网络（BSPDN）的半导体器件。该半导体器件包括：基板；第一有源图案，在基板的顶表面上在第一方向上延伸；第二有源图案，在基板的顶表面上在第一方向上延伸并在与第一方向交叉的第二方向上与第一有源图案间隔开；栅极结构，在第一有源图案和第二有源图案上在第二方向上延伸；第一源极/漏极图案，在栅极结构的侧表面上连接到第一有源图案；第二源极/漏极图案，在栅极结构的侧表面上连接到第二有源图案；背面源极/漏极接触，穿透基板；以及第一电源线，在基板的底表面上连接到背面源极/漏极接触。
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公开(公告)号：CN119108398A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410410579.2
申请日：2024-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 可以提供一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，在第一区域上沿第一方向延伸；第二有源图案，在第二区域上沿第一方向延伸；壁结构，在第一区域和第二区域之间沿第一方向延伸，并将第一有源图案和第二有源图案彼此分隔开；第一栅极结构，在第一区域上与第一有源图案相交；第一二维(2D)沟道层，在第一有源图案和第一栅极结构之间，包括第一过渡金属二硫属化物；第二栅极结构，在第二区域上与第二有源图案相交；以及第二2D沟道层，在第二有源图案和第二栅极之间，包括第二过渡金属二硫属化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117096176A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310554696.1
申请日：2023-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/772 , H01L29/78 , H01L25/07 , H01L27/085 , H01L27/088 , H01L23/538 , H10B12/00
Abstract: 半导体装置包括：衬底；位于衬底上的二维材料层，二维材料层在第一方向上延伸；在与第一方向相交的第二方向上延伸的栅极结构，栅极结构位于二维材料层上；以及位于衬底上的源极/漏极接触件。源极/漏极接触件围绕二维材料层的每个相对端，源极/漏极接触件包括与二维材料层的每个相对端接触的第一部分，源极/漏极接触件包括位于第一部分上的第二部分，并且第二部分具有大于第一部分的高宽比的高宽比。
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公开(公告)号：CN119008628A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410616330.7
申请日：2024-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置包括：有源图案，其在第一方向上在衬底上延伸；第一沟道结构至第四沟道结构，其在有源图案的一个区上按次序堆叠；第一栅极结构至第四栅极结构，其分别跨过第一沟道结构至第四沟道结构，并且在第二方向上延伸；第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案，其分别连接至第一沟道结构至第四沟道结构的两端；多个上接触穿通件，其将多条上布线中的每一条电连接至第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案中的至少一个；多条下布线，其设置在衬底的下表面上；以及多个下接触穿通件，其穿过衬底并且将所述多条下布线中的每一条电连接至第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案中的至少一个。
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公开(公告)号：CN117012824A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310095842.9
申请日：2023-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 公开了三维半导体器件及其制造方法。该三维半导体器件包括：第一有源区，在衬底上，并包括下沟道图案和连接到下沟道图案的下源极/漏极图案；第二有源区，在第一有源区上方，并包括上沟道图案和连接到上沟道图案的上源极/漏极图案；至少一个栅电极，在下沟道图案和上沟道图案上；第一有源接触部，电连接到下源极/漏极图案；以及第二有源接触部，电连接到上源极/漏极图案。下源极/漏极图案的在竖直方向上的第一中心线和上源极/漏极图案的在竖直方向上的第二中心线在垂直于竖直方向的第一方向上彼此偏移。第一有源接触部和第二有源接触部在第一方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN116417412A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211614835.7
申请日：2022-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括第一半导体芯片，第一半导体芯片包括：第一接合结构；第一前端层级层，包括第一集成电路装置；第一子后端层级层，包括多个第一金属布线层；输入输出装置层级层，包括二维输入输出装置；以及第二子后端层级层，包括电连接到第一集成电路装置和二维输入输出装置的多个第二金属布线层。所述半导体封装件还包括第二半导体芯片，第二半导体芯片包括：第二接合结构，接合到第一接合结构；第二前端层级层，包括第二集成电路装置；以及第二后端层级层，包括电连接到第二集成电路装置的多个第三金属布线层。
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公开(公告)号：CN116156898A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211345568.8
申请日：2022-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体存储器设备。半导体存储器设备可以包括磁隧道结图案、与磁隧道结图案的第一部分接触的自旋轨道矩(SOT)图案、电连接到磁隧道结图案的第二部分且被配置为通过第一字线控制的第一晶体管、以及电连接到自旋轨道矩图案的第一端并且被配置为通过第二字线控制的第二晶体管。第一晶体管的有效沟道宽度可以不同于第二晶体管的有效沟道宽度。
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