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公开(公告)号:CN115274679A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210143057.1
申请日:2022-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11578
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件,包括:衬底,包括单元阵列区和连接区;电极结构,在衬底上沿第一方向延伸并包括竖直堆叠的电极,该电极具有阶梯状布置在连接区上的焊盘部分;第一接触插塞,连接到焊盘部分中的第一焊盘部分;一对第一竖直结构,贯穿焊盘部分中的第一焊盘部分,并且在第一方向上彼此间隔第一距离;第二接触插塞,连接到焊盘部分中的第二焊盘部分,并且具有大于第一接触插塞的竖直长度的竖直长度;以及一对第二竖直结构,贯穿焊盘部分中的第二焊盘部分,并且在第一方向上彼此间隔第二距离,第二距离大于第一距离。
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