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公开(公告)号：CN118804590A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410194199.X
申请日：2024-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，所述有源图案位于衬底上；位线结构，所述位线结构位于所述有源图案的中央部分上；第一间隔物结构和第二间隔物结构，所述第一间隔物结构和所述第二间隔物结构分别设置在所述位线结构的第一侧壁和第二侧壁上，所述位线结构的所述第一侧壁和所述第二侧壁在第一方向上面向彼此；下接触插塞，所述下接触插塞位于所述有源图案的相对端部中的每一者上；以及上接触插塞，所述上接触插塞位于所述下接触插塞上。所述上接触插塞可以包括：导电图案；以及导电间隔物，所述导电间隔物覆盖所述导电图案的下表面，其中，所述导电间隔物接触所述第一间隔物结构的外侧壁，并且不接触所述第二间隔物结构的外侧壁。
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