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公开(公告)号：CN112614847A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202010796314.2
申请日：2020-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 提供了一种半导体器件以及半导体器件制造方法。所述半导体器件可以包括：堆叠结构，所述堆叠结构位于衬底上，所述堆叠结构包括多个介电层和多个透明导电氧化物层，所述介电层和所述透明导电氧化物层交替地堆叠，沿竖直方向彼此相邻的每个所述介电层和所述透明导电氧化物层中的相应的透明导电氧化物层具有基本相等的水平宽度；以及沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述堆叠结构，所述沟道结构包括信息存储层、位于所述信息存储层的内部的沟道层和位于所述沟道层的内部的掩埋介电层。
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