公开(公告)号：CN110690198B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201910287858.3

申请日：2019-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨俊 ,  李尚锺 ,  徐允锡

IPC: H01L23/552

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：框架，具有彼此分开的第一通孔和第二通孔；无源组件，设置在所述第一通孔中；半导体芯片，设置在所述第二通孔中并具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面；第一包封剂，覆盖所述无源组件的至少部分并填充所述第一通孔的至少部分；第二包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少部分并填充所述第二通孔的至少部分；以及连接结构，设置在所述框架、所述无源组件和所述半导体芯片的有效表面上并包括电连接到所述无源组件和所述半导体芯片的所述连接焊盘的布线层。所述第二包封剂的电磁波吸收率比所述第一包封剂的电磁波吸收率高。

公开(公告)号：CN110690198A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910287858.3

申请日：2019-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨俊 ,  李尚锺 ,  徐允锡

IPC: H01L23/552

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：框架，具有彼此分开的第一通孔和第二通孔；无源组件，设置在所述第一通孔中；半导体芯片，设置在所述第二通孔中并具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面；第一包封剂，覆盖所述无源组件的至少部分并填充所述第一通孔的至少部分；第二包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少部分并填充所述第二通孔的至少部分；以及连接结构，设置在所述框架、所述无源组件和所述半导体芯片的有效表面上并包括电连接到所述无源组件和所述半导体芯片的所述连接焊盘的布线层。所述第二包封剂的电磁波吸收率比所述第一包封剂的电磁波吸收率高。

公开(公告)号：CN110444514A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910368806.9

申请日：2019-05-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩美子 ,  朴大贤 ,  李晟焕 ,  李尚锺

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L23/552

Abstract: 本公开提供了一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括：连接构件，包括绝缘层和重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接构件上；包封剂，包封所述半导体芯片；以及电磁波屏蔽层，设置在所述半导体芯片上，并包括多个排气孔。所述电磁波屏蔽层包括所述排气孔的密度彼此不同的第一区域和第二区域，所述第一区域的所述排气孔的密度高于所述第二区域中的所述排气孔的密度。

公开(公告)号：CN110444514B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201910368806.9

申请日：2019-05-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩美子 ,  朴大贤 ,  李晟焕 ,  李尚锺

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L23/552

Abstract: 本公开提供了一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括：连接构件，包括绝缘层和重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接构件上；包封剂，包封所述半导体芯片；以及电磁波屏蔽层，设置在所述半导体芯片上，并包括多个排气孔。所述电磁波屏蔽层包括所述排气孔的密度彼此不同的第一区域和第二区域，所述第一区域的所述排气孔的密度高于所述第二区域中的所述排气孔的密度。