公开(公告)号：CN118213375A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311047248.9

申请日：2023-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李大炯 ,  吴官泳

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括至少一个像素，并且所述至少一个像素包括在具有第一表面和第二表面的半导体基底中的光电转换区域、在半导体基底中与光电转换区域间隔开的浮置扩散区域以及从半导体基底的第一表面延伸到半导体基底中的垂直传输栅电极。传输沟道在光电转换区域与浮置扩散区域之间。

公开(公告)号：CN118231424A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311740759.9

申请日：2023-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李大炯 ,  吴官泳

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供图像传感器的像素和背照式图像传感器。该像素包括：半导体基板，其包括第一表面和第二表面；光电转换区，其形成在半导体基板的第一表面和第二表面之间；浮置扩散区，其形成在第一表面上，并在竖直方向上与光电转换区间隔开；第一竖直传输栅极，其形成在从半导体基板的第一表面延伸到半导体基板的内部的凹陷内，并在光电转换区和浮置扩散区之间形成第一传输通道，其中，第一竖直传输栅极可具有相对于第一表面以小于90度的第一角度倾斜的结构。