公开(公告)号：CN118625595A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410229613.6

申请日：2024-02-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴成桓 ,  崔诚原 ,  郭允铉 ,  文桢皓 ,  朴柱铉 ,  李松世 ,  李坪根

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/56 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及包括光敏性聚合物的非离子型非化学放大光致抗蚀剂组合物和制造集成电路器件的方法。光致抗蚀剂组合物包括包含光敏性聚合物的非离子型非化学放大光致抗蚀剂组合物，光敏性聚合物包括具有极性反转基团的第一重复单元和具有敏化基团的第二重复单元。制造集成电路器件的方法包括：通过使用光致抗蚀剂组合物在特征层上形成光致抗蚀剂膜，将作为光致抗蚀剂膜的一部分的第一区域曝光以在第一区域中由第二重复单元产生二次电子并且通过使用第一区域中的二次电子改变第一重复单元的极性以反转第一区域的极性，通过使用显影剂除去光致抗蚀剂膜的未经曝光的区域以形成包括第一区域的光致抗蚀剂图案，和通过使用光致抗蚀剂图案处理特征层。