公开(公告)号：CN102169825A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110036452.1

申请日：2011-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张钟光 ,  吴怜默 ,  南瑞祐 ,  全祐撤 ,  李周范 ,  李命柱

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0338

Abstract: 本发明公开了一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括以下步骤：提供可图案化层；在可图案化层上形成多个第一光致抗蚀剂层图案；在可图案化层和多个第一光致抗蚀层图案上形成界面层；在界面层上形成平坦化层；在平坦化层上形成多个第二光致抗蚀剂层图案；利用多个第二光致抗蚀剂层图案形成多个平坦化层图案；利用多个平坦化层图案和多个第一光致抗蚀剂层图案形成多个层图案。

公开(公告)号：CN102157381B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201110036456.X

申请日：2011-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张钟光 ,  池承宪 ,  慎烘縡 ,  郑龙镇 ,  吴怜默 ,  李周范

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体基板；在半导体基板上形成栅极图案，使得栅极图案包括栅极介电层和牺牲栅电极；在半导体基板和栅极图案上形成蚀刻停止层和介电层；去除介电层的一部分，以暴露蚀刻停止层；对蚀刻停止层执行回蚀工艺，以暴露牺牲栅电极；去除牺牲栅电极，以形成沟槽；在包括沟槽的半导体基板上形成金属层；去除金属层的一部分，以暴露介电层；按预定的目标对金属层执行回蚀工艺。

公开(公告)号：CN102157381A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110036456.X

申请日：2011-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张钟光 ,  池承宪 ,  慎烘縡 ,  郑龙镇 ,  吴怜默 ,  李周范

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体基板；在半导体基板上形成栅极图案，使得栅极图案包括栅极介电层和牺牲栅电极；在半导体基板和栅极图案上形成蚀刻停止层和介电层；去除介电层的一部分，以暴露蚀刻停止层；对蚀刻停止层执行回蚀工艺，以暴露牺牲栅电极；去除牺牲栅电极，以形成沟槽；在包括沟槽的半导体基板上形成金属层；去除金属层的一部分，以暴露介电层；按预定的目标对金属层执行回蚀工艺。