公开(公告)号：CN101740579B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN200910221278.0

申请日：2009-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李升埈 ,  李云京

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11578 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明公开了一种垂直型半导体器件，包括在半导体基板上的第一垂直半导体器件，在第一垂直半导体器件上的第二垂直半导体器件，和在第一垂直半导体器件和第二垂直半导体器件之间的互连。

公开(公告)号：CN101740579A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910221278.0

申请日：2009-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李升埈 ,  李云京

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11578 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明公开了一种垂直型半导体器件，包括在半导体基板上的第一垂直半导体器件，在第一垂直半导体器件上的第二垂直半导体器件，和在第一垂直半导体器件和第二垂直半导体器件之间的互连。