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发明公开
用于制造光掩模布图的方法和制造半导体器件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN116520631A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310084699.3

申请日：2023-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文晟墉 , 李元灿

IPC: G03F1/36 , G03F7/20

Abstract: 提供了一种用于制造光掩模布图的方法和一种用于制造半导体器件的方法。用于制造光掩模布图的方法包括：接收包括主图案的第一布图；考虑所述主图案的光学性质，通过在所述第一布图中生成辅助特征来生成第二布图；通过对第二布图执行光学邻近校正(OPC)来生成第三布图；以及当在通过使用光掩模作为蚀刻掩模蚀刻的半导体膜的ACI图像上未生成所述辅助特征时，将所述第三布图输出为经校正的布图，所述光掩模是使用所述第三布图生成的。

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