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公开(公告)号:CN114446344A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202111294848.6
申请日:2021-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路装置包括多个存储器单元,多个存储器单元中的每一个包括沟道区、第一子字线、第二子字线和储存元件。字线驱动电路被配置为驱动第一子字线和第二子字线。字线驱动电路包括PMOS晶体管、NMOS晶体管、保持NMOS晶体管和第一保持PMOS晶体管。负电压被施加至NMOS晶体管的源极,负电压施加被至保持NMOS晶体管的源极,第一子字线连接至第一保持PMOS晶体管的源极,第二子字线连接至第一保持PMOS晶体管的漏极,并且负电压被施加至第一保持PMOS晶体管的栅极。