公开(公告)号：CN1426108A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN02151897.1

申请日：2002-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权奎亨 ,  权银景

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/027

Abstract: 本发明公开了一种用于集成电路中的静电放电保护的电路和方法。该集成电路器件的输出电路包括具有在衬底中的各自相互隔开的源极区和漏极区对的一第一和一第二MOS晶体管，其被排列为使得该第一和第二MOS晶体管的各自的第一和第二沟道相互横向设置。其还包括在衬底中位于该第一与第二MOS晶体管之间的一隔离区。一第一导体连接该第一MOS晶体管的源极区至一电源结点，一第二导体连接该第一MOS晶体管的漏极区至该第二MOS晶体管的源极区。一第三导体连接该第二MOS晶体管的漏极区至集成电路的外部信号焊垫。该隔离区可包括分别包围第一和第二MOS晶体管中的一个的第一和第二绝缘区，及包围并隔开该绝缘区的一保护环。

公开(公告)号：CN100468723C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN02151897.1

申请日：2002-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权奎亨 ,  权银景

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/027

Abstract: 本发明公开了一种用于集成电路中的静电放电保护的电路和方法。该集成电路器件的输出电路包括具有在衬底中的各自相互隔开的源极区和漏极区对的一第一和一第二MOS晶体管，其被排列为使得该第一和第二MOS晶体管的各自的第一和第二沟道相互横向设置。其还包括在衬底中位于该第一与第二MOS晶体管之间的一隔离区。一第一导体连接该第一MOS晶体管的源极区至一电源结点，一第二导体连接该第一MOS晶体管的漏极区至该第二MOS晶体管的源极区。一第三导体连接该第二MOS晶体管的漏极区至集成电路的外部信号焊垫。该隔离区可包括分别包围第一和第二MOS晶体管中的一个的第一和第二绝缘区，及包围并隔开该绝缘区的一保护环。