公开(公告)号：CN1350301B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN01137048.3

申请日：2001-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权国焕 ,  徐英豪

IPC: G11C7/00 ,  G11C8/00 ,  G11C11/40

CPC classification number: G11C7/1039 ,  G11C7/1051

Abstract: 为了降低半导体存储器中的循环时间并使其高速操作，该存储器构建为具有多级管线结构。具有多级管线结构的半导体存储器，包括：一两级管线结构，包括存储单元阵列，检测放大器以及数据寄存器；和设置在检测放大器和共用数据线之间的附加数据寄存器，其中所述附加数据寄存器包括自锁存驱动电路。

公开(公告)号：CN1350301A

公开(公告)日：2002-05-22

申请号：CN01137048.3

申请日：2001-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权国焕 ,  徐英豪

IPC: G11C7/00 ,  G11C8/00 ,  G11C11/40

CPC classification number: G11C7/1039 ,  G11C7/1051

Abstract: 为了降低半导体存储器中的循环时间并使其高速操作,该存储器构建为具有多级管线结构。例如,该多级管线结构包括一三级管线,其中在检测放大器和主数据线之间引入一附加的数据寄存器。余下的存储器结构可以与传统的两级管线半导体存储器相兼容的方式构建。