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公开(公告)号：CN112786617A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011235699.1
申请日：2020-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11565
Abstract: 公开了一种半导体器件包括：第一堆叠结构和第二堆叠结构，在衬底上彼此间隔开；以及多个分离结构和多个竖直存储结构，沿与衬底的上表面平行的第一方向交替地布置在第一堆叠结构和第二堆叠结构之间。第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每一个包括交替地重复堆叠在下部结构上的多个层间绝缘层和多个栅极层。竖直存储结构中的每一个包括面向第一堆叠结构的第一数据存储结构和面向第二堆叠结构的第二数据存储结构。第一堆叠结构和第二堆叠结构的面向竖直存储结构的侧表面在平面图中是凹的。
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