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发明公开
一次性可编程存储装置审中-实审

公开(公告)号：CN115376598A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210430732.9

申请日：2022-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔训诚 , 朴镇优

IPC: G11C17/16 , G11C17/18

Abstract: 一次性可编程(OTP)存储装置包括存取晶体管、字线、电压线、阱、第一填充氧化物层、第一半导体层和位线。所述存取晶体管包括：栅极结构，所述栅极结构位于衬底上；以及第一杂质区和第二杂质区，所述第一杂质区和所述第二杂质区分别位于所述衬底的与所述栅极结构相邻的部分处。所述字线电连接到所述栅极结构。所述电压线电连接到所述第一杂质区。所述阱位于所述衬底的上部，并且掺杂有具有第一导电类型的杂质。所述第一填充氧化物层形成在所述阱上。所述第一半导体层形成在所述第一填充氧化物层上，并且掺杂有具有所述第一导电类型的杂质，并且电连接到所述第二杂质区。所述位线电连接到所述阱。

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