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公开(公告)号：CN116798908A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211683237.5
申请日：2022-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供生产半导体制造系统的方法。所述方法可包括：准备第一真空管；准备第二真空管；通过第一真空管将第一处理室连接到第一泵；以及通过第二真空管将与第一处理室间隔开的第二处理室连接到第二泵。准备第一真空管的步骤可包括：连接多个第一单元管以形成第一真空管；并且计算作为第一真空管的总流导的第一流导。准备第二真空管的步骤可包括：通过连接多个第二单元管来形成第二真空管，使得作为第二真空管的总流导的第二流导等于第一流导。
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