公开(公告)号：CN104282756A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410146086.9

申请日：2014-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴玟烨 ,  莱奥内利·达尼埃莱 ,  前田茂伸 ,  吴汉洙 ,  金雄基 ,  李钟赫 ,  郑周燮

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底上的栅极；沿着栅极的侧壁和底表面的栅极绝缘层；以及栅极的两个侧壁上的L形隔离物结构。一种结构将栅极与源极/漏极区之间的距离延伸至栅极的任一侧。

公开(公告)号：CN104282756B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201410146086.9

申请日：2014-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴玟烨 ,  莱奥内利·达尼埃莱 ,  前田茂伸 ,  吴汉洙 ,  金雄基 ,  李钟赫 ,  郑周燮

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底上的栅极；沿着栅极的侧壁和底表面的栅极绝缘层；以及栅极的两个侧壁上的L形隔离物结构。一种结构将栅极与源极/漏极区之间的距离延伸至栅极的任一侧。