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发明公开
用于制造半导体器件的方法审中-公开

公开(公告)号：CN118197905A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311692230.4

申请日：2023-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳善 , 尹详皓 , 郑宇陈

IPC: H01L21/027 , H01L21/66 , G03F7/20

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在晶片上形成叠层，其中，所述叠层包括多个层；在所述叠层上形成光刻胶图案；确定所述叠层的所述多个层当中的至少一个层的材料是否已经改变以及用于形成所述叠层的所述多个层的多个工艺当中的至少一个工艺是否已经改变；在确定出所述至少一个层的材料或所述至少一个工艺已经改变时，改变用于套刻测量的第一波长；以及使用改变后的用于套刻测量的第一波长来测量套刻。

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