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公开(公告)号：CN115223935A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210149711.X
申请日：2022-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 提供一种半导体装置。该半导体装置包括：第一鳍状图案，在第一方向上纵向延伸；第二鳍状图案，在第二方向上与第一鳍状图案间隔开并且在第一方向上纵向延伸；第一栅电极，在第一鳍状图案上在第二方向上纵向延伸；第二栅电极，在第二鳍状图案上在第二方向上纵向延伸；第一栅极分离结构，将第一栅电极和第二栅电极分离并且与第一栅电极和第二栅电极处于同一竖直水平；第一连接源/漏接触件，在第一鳍状图案和第二鳍状图案上在第二方向上纵向延伸。第一连接源/漏接触件包括与第一鳍状图案和第二鳍状图案相交的第一下源/漏接触区域和从第一下源/漏接触区域突出的第一上源/漏接触区域，第一上源/漏接触区域在第一方向上不与第一栅极分离结构叠置。
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