公开(公告)号：CN113629037A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110120166.7

申请日：2021-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴水贤 ,  朴径范 ,  白宗玟 ,  李长镐 ,  刘禹炅 ,  郑德泳

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/48 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：晶体管，位于基底上；第一层间绝缘层，位于晶体管上；下互连线，位于第一层间绝缘层的上部中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；上互连线，位于第二层间绝缘层中，上互连线包括穿透蚀刻停止层以接触下互连线的通路部分；蚀刻停止图案，位于蚀刻停止层上并且与通路部分的第一侧壁接触。第二层间绝缘层在蚀刻停止图案和蚀刻停止层的其上没有蚀刻停止图案的顶表面上延伸。蚀刻停止图案的介电常数比蚀刻停止层的介电常数高。

公开(公告)号：CN115692375A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210865237.0

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白宗玟 ,  申定候 ,  张相信 ,  千正焕 ,  朴径范 ,  朴水贤

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，具有有源区；第一绝缘层，在基底上；第二绝缘层，在第一绝缘层上；蚀刻停止层，在第一绝缘层与第二绝缘层之间；过孔触点，在第一绝缘层中，并且电连接到有源区；互连电极，在第二绝缘层中，并且电连接到过孔触点；导电阻挡层，在互连电极的侧表面和下表面上，并且具有延伸到过孔触点的侧表面的部分区域的延伸部；以及侧绝缘层，在导电阻挡层的延伸部下方在过孔触点的侧区域上，侧绝缘层包括与蚀刻停止层的材料相同的材料。