公开(公告)号：CN118354610A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202311797186.3

申请日：2023-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相敏 ,  金成吉 ,  朴径旭

IPC: H10B43/50 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B41/50 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一衬底结构，包括第一衬底、电路器件和第一接合焊盘；以及第二衬底结构，连接到第一衬底结构。第二衬底结构包括：源极结构；栅电极，在源极结构下方在第一方向上彼此堆叠并间隔开；第一接触插塞，电连接到栅电极并且沿第一方向延伸；第二接触插塞，在栅电极的外侧沿第一方向延伸，并且通过上端电连接到源极结构；扩散屏障，在第二接触插塞和源极结构之间，其中，其下端的高度高于栅电极的最上表面的高度；以及第二接合焊盘，在栅电极下方并且连接到第一接合焊盘。

公开(公告)号：CN116896887A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310166574.5

申请日：2023-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相敏 ,  金斐悟 ,  朴径旭

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/50 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B43/27

Abstract: 一种半导体器件包括：外围电路结构，包括：第一衬底、第一衬底上的电路器件、电连接到电路器件的下布线结构、覆盖下布线结构的下绝缘层、以及下绝缘层上的扩散阻挡层；以及存储单元结构，包括：第二衬底，在外围电路结构上包括第一区域和第二区域；栅电极，在第一区域中在垂直于第二衬底的上表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开，并且在第二区域中在垂直于第一方向的第二方向上延伸以形成阶梯形状；以及沟道结构，在第一方向上穿透栅电极，并且各自包括沟道层。扩散阻挡层包括氢渗透率低于氮化硅的氢渗透率的第一材料层。