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公开(公告)号：CN118355224A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202380015351.7
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示装置可以包括：显示面板；支撑托架，与所述显示面板的后面结合；支撑臂（arm），与所述支撑托架结合，将所述显示面板支撑为能够在所述显示面板的长边横向布置的第一模式与所述长边纵向布置的第二模式之间能够旋转；支撑支架，支撑所述支撑臂，包括限制槽，并且配备为允许所述支撑臂沿垂直方向移动，其中，所述支撑臂包括：限制连杆，在所述显示面板处于所述第一模式时，位于从所述限制槽引出的第一位置，并且在所述显示模块处于所述第二模式时，位于插入至所述限制槽的第二位置。
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公开(公告)号：CN101154455B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710153206.8
申请日：2007-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C7/1078 , G11C7/1087 , G11C11/5628
Abstract: 一种存储设备及其方法。该示例存储设备可以包括：第一缓冲器，接收要存储在存储单元中的最高有效位(MSB)数据和最低有效位(LSB)数据；第二缓冲器，从存储单元加载所存储的LSB数据；数据加载器，基于来自第一缓冲器的所接收的MSB数据和来自存储单元的所加载的LSB数据的逻辑电平来产生控制存储单元的编程许可的至少一个加载信号。该示例方法可包括：接收LSB数据；将所接收的LSB数据存储在存储单元中；接收MSB数据；从被编程的存储单元加载该LSB数据；基于所接收的MSB数据和所加载的LSB数据的逻辑电平来产生控制存储单元的编程许可的至少一个加载信号；基于该至少一个加载信号将MSB数据存储在存储单元中。
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公开(公告)号：CN101154455A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153206.8
申请日：2007-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C7/1078 , G11C7/1087 , G11C11/5628
Abstract: 一种存储设备及其方法。该示例存储设备可以包括：第一缓冲器，接收要存储在存储单元中的最高有效位(MSB)数据和最低有效位(LSB)数据；第二缓冲器，从存储单元加载所存储的LSB数据；数据加载器，基于来自第一缓冲器的所接收的MSB数据和来自存储单元的所加载的LSB数据的逻辑电平来产生控制存储单元的编程许可的至少一个加载信号。该示例方法可包括：接收LSB数据；将所接收的LSB数据存储在存储单元中；接收MSB数据；从被编程的存储单元加载该LSB数据；基于所接收的MSB数据和所加载的LSB数据的逻辑电平来产生控制存储单元的编程许可的至少一个加载信号；基于该至少一个加载信号将MSB数据存储在存储单元中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118369535A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202380015415.3
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示装置可以包括：显示面板；支撑托架，与所述显示面板的后面结合，并且包括锁定槽；支撑臂（arm），与所述支撑托架结合，将所述显示面支撑为能够在所述显示面板的长边横向布置的第一模式与所述长边纵向布置的第二模式之间旋转；以及支撑支架，支撑所述支撑臂，并且配备为允许所述支撑臂在第一位置与低于所述第一位置的第二位置之间的垂直方向移动，其中，所述支撑臂包括：旋转连杆，配备为随着所述支撑臂从所述第二位置移动到所述第一位置而沿第一方向进行旋转；以及锁定连杆，配备为基于所述旋转连杆的所述第一方向的旋转而从插入至所述锁定槽并限制所述显示面板的旋转的锁定位置移动到从所述锁定槽被引出并允许所述显示面板的旋转的解锁位置。
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公开(公告)号：CN103247341A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310182861.1
申请日：2005-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/16
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/344 , G11C16/3445 , G11C2216/18 , G11C2216/20
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，包括：一组M个存储块；块译码器，每个块译码器与该组M个存储块之一对应，每个块译码器包括用于存储对应的块地址的寄存器；擦除控制器，被配置为控制同时擦除该组M个存储块中的一子组N个存储块的多块擦除操作，擦除控制器还被配置为在多块擦除操作之后，响应于外部提供的擦除校验命令并响应于N个外部提供的块地址之一，控制对于该子组N个存储块的每个的擦除校验操作，其中N大于1并小于或等于M（1
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公开(公告)号：CN107341124A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710202171.6
申请日：2017-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/42
CPC classification number: G06F13/4291 , G06F1/266 , G06F2213/0026 , Y02D10/14 , Y02D10/151 , G06F13/4282
Abstract: 提供了一种用于支持SRIS的PCIe装置。所述用于支持SRIS的PCIe装置包括：收发器；时钟信号发生器，被配置为产生第二参考时钟信号；连接器，在连接到PCIe主机的结构中；以及选择电路，被配置为确定是否通过连接器提供第一参考时钟信号，并且根据所述确定的结果将第一参考时钟信号和第二参考时钟信号中的一个发送到收发器。
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公开(公告)号：CN103247341B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310182861.1
申请日：2005-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/16
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/344 , G11C16/3445 , G11C2216/18 , G11C2216/20
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，包括：一组M个存储块；块译码器，每个块译码器与该组M个存储块之一对应，每个块译码器包括用于存储对应的块地址的寄存器；擦除控制器，被配置为控制同时擦除该组M个存储块中的一子组N个存储块的多块擦除操作，擦除控制器还被配置为在多块擦除操作之后，响应于外部提供的擦除校验命令并响应于N个外部提供的块地址之一，控制对于该子组N个存储块的每个的擦除校验操作，其中N大于1并小于或等于M（1
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公开(公告)号：CN1694184A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510067239.1
申请日：2005-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/344 , G11C16/3445 , G11C2216/18 , G11C2216/20
Abstract: 一种非易失性半导体存储器件包括存储块和擦除控制器，该擦除控制器被配置成控制其中同时擦除至少两个存储块的多块擦除操作。根据一些实施例，在选择并同时擦除所选择的存储块之后，根据外部提供的擦除校验命令和块地址执行对每个已擦除存储块的擦除校验操作。根据一些实施例，当正在擦除所选择的存储块时，如果存储器件收到暂时中止命令，则擦除操作中止，并开始诸如读取操作的另一操作。当存储器件收到恢复命令时，恢复擦除操作。对其它实施例进行了描述并提出了权利要求。
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