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发明公开
存储器器件、存储器器件的操作方法和存储器设备审中-公开

公开(公告)号：CN118401010A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410108648.4

申请日：2024-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔德铉 , 许镇盛 , 李泫宰 , 南胜杰 , 朴允相 , 柳时正

IPC: H10B51/30 , H10B53/30 , G11C11/22

Abstract: 提供存储器器件、存储器器件的操作方法和存储器设备。存储器器件包括半导体基底、设置在半导体基底上的栅电极、以及在垂直于半导体基底的第一方向上层叠在半导体基底和栅电极之间并且包括至少一个第一铁电层和至少一个第二铁电层的多个铁电层。第一铁电层具有其中掺杂浓度在第一方向上增加的掺杂浓度梯度，并且第二铁电层具有其中掺杂浓度在第一方向上减少的掺杂浓度梯度。存储器器件配置为根据操作电压实施多位。

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