公开(公告)号：CN1241443C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN02118470.4

申请日：2002-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐五权 ,  全灿凤 ,  朴万金

IPC: H04Q7/32 ,  H01L41/08

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03H3/02 ,  H03H2003/021 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明公开了一种制造气隙型薄膜整体声共振器(FBAR)的方法。该FBAR制造方法包括：(a)在半导体衬底上沉积并构图下电极；(b)在下电极上沉积并构图压电材料层；(c)在压电材料层上沉积并构图上电极；(d)形成穿过上电极、压电材料层和下电极的孔；以及(e)将氟化物注入到孔中，使得可以在半导体衬底上形成气隙，并且非等离子体蚀刻半导体衬底。因为FBAR制造方法在制造过程中不包括形成并去除牺牲层，所以制造工艺被简化。此外，不具有频率选择性的气隙可以形成，且FBAR的性能可以提高。

公开(公告)号：CN1419387A

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN02118470.4

申请日：2002-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐五权 ,  全灿凤 ,  朴万金

IPC: H04Q7/32 ,  H01L41/08

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03H3/02 ,  H03H2003/021 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明公开了一种制造气隙型薄膜整体声共振器(FBAR)的方法。该FBAR制造方法包括：(a)在半导体衬底上沉积并构图下电极；(b)在下电极上沉积并构图压电材料层；(c)在压电材料层上沉积并构图上电极；(d)形成穿过上电极、压电材料层和下电极的孔；以及(e)将氟化物注入到孔中，使得可以在半导体衬底上形成气隙，并且非等离子体蚀刻半导体衬底。因为FBAR制造方法在制造过程中不包括形成并去除牺牲层，所以制造工艺被简化。此外，不具有频率选择性的气隙可以形成，且FBAR的性能可以提高。