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公开(公告)号:CN1109406C
公开(公告)日:2003-05-21
申请号:CN97191956.9
申请日:1997-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/094
CPC classification number: G06F7/5016 , G06F2207/4816 , H03K19/0013 , H03K19/0948
Abstract: 本发明公开了一种具有不会漏电的电平恢复电路(50)的可节约能量的旁路晶体管逻辑电路和使用这种电路的全加器。该逻辑电路包括具有若干个n型FET(M1-M4)的功能块(10),该功能块完成输入(12,14,16,18)的至少一种逻辑功能以产生2个互补信号(20,22),该互补信号(20,22)是一个弱高电平信号和一个强低电平信号,该逻辑电路还包括具有第一和第二CMOS反相器(52,54)的电平恢复块(50),用于将该弱高信号恢复为强的或满程高电平信号并且防止漏电流流过被施加了弱高电平的第一和第二CMOS反相器(52,54)中的一个。
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公开(公告)号:CN1209916A
公开(公告)日:1999-03-03
申请号:CN97191956.9
申请日:1997-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/094
CPC classification number: G06F7/5016 , G06F2207/4816 , H03K19/0013 , H03K19/0948
Abstract: 本发明公开了一种具有不会漏电的电平恢复电路(50)的可节约能量的旁路晶体管逻辑电路和使用这种电路的全加器。该逻辑电路包括具有若干个n型FET(M1-M4)的功能块(10),该功能块完成输入(12,14,16,18)的至少一种逻辑功能以产生2个互补信号(20,22),该互补信号(20,22)是一个弱高电平信号和一个强低电平信号,该逻辑电路还包括具有第一和第二CMOS反相器(52,54)的电平恢复块(50),用于将该弱高信号恢复为强的或满程高电平信号并且防止漏电流流过被施加了弱高电平的第一和第二CMOS反相器(52,54)中的一个。
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