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公开(公告)号：CN1197212A
公开(公告)日：1998-10-28
申请号：CN98104115.9
申请日：1998-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴在勤 , 崔秀烈 , 李坤燮 , 曺圭彻
IPC: G01N35/00
CPC classification number: C30B29/06 , C30B33/00
Abstract: 本发明提供一种分析裸晶上晶体缺陷的方法,其中裸晶是通过切割由丘克拉斯基方法制成的单根生成态晶锭而制备的。分析裸晶上晶体缺陷的方法包括如说明书中所述的a)—e)个步骤来进行评价。
