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发明公开
半导体装置仿真系统和方法审中-公开

公开(公告)号：CN117473849A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310627024.9

申请日：2023-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张元翼 , 明相勳 , 崔在铭

IPC: G06F30/27 , G06N3/042 , G06N3/08

Abstract: 提供了半导体装置仿真系统和方法。所述方法包括：使用半导体装置仿真器来生成与仿真的半导体装置相关联的网格；从与网格相关联的信息提取节点；使用与网格相关联的信息来提取连接在节点之间的边；关于节点和边生成图信息；将图信息施加到图神经网络(GNN)学习模型；以及响应于施加到仿真的半导体装置的状态信息的变化，使用GNN学习模型来预测网格的变化。

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