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发明公开
半导体存储器件审中-公开

公开(公告)号：CN118574410A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410205901.8

申请日：2024-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善铁 , 权兑姸 , 赵润宰 , 金志勋 , 文洪盛

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：由器件隔离层限定在衬底上的有源区，每个有源区包括第一杂质区和第二杂质区；在有源区上并沿第一方向延伸的字线；分别覆盖字线的顶表面的覆盖绝缘图案；在字线上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸的位线；在位线之间并连接到第二杂质区域的接触插塞；以及分别在接触插塞上的数据存储部。每条字线可以包括第一金属氮化物层和在第一金属氮化物层上的第二金属氮化物层。第二金属氮化物层的电阻率可以小于第一金属氮化物层的电阻率。

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