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公开(公告)号：CN115732512A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211023484.2
申请日：2022-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：标准单元，包括：多个有源图案，在第一方向上延伸；栅极结构，与所述多个有源图案交叉并且在第二方向上延伸；以及源/漏区，分别设置在定位在栅极结构的两侧上的所述多个有源图案上；多条信号线，在标准单元上在第一方向上延伸，在第二方向上布置，并且电连接到标准单元；以及第一电力带和第二电力带，在标准单元上在第一方向上延伸，电连接到所述源/漏区中的一些源/漏区，并且向标准单元供应电力，其中，第一电力带和第二电力带各自设置在标准单元上，同时在第一方向上与所述多条信号线中的任意一条信号线设置在同一条线上。
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