公开(公告)号：CN114078975A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110934274.8

申请日：2021-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金鹤善 ,  高秉柱 ,  白圣权 ,  徐载和 ,  李昌宪

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/788 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种半导体器件和非易失性存储器件。半导体器件包括：衬底；元件隔离膜，在衬底中限定第一有源区；在第一有源区上的第一栅电极；第一源/漏区，在元件隔离膜和第一栅电极之间位于第一有源区内部；以及隔离接触部，在元件隔离膜中沿与衬底的上表面相交的竖直方向延伸。隔离接触部配置为被施加电压。

公开(公告)号：CN114695372A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202111439122.7

申请日：2021-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白圣权 ,  金鹤善 ,  徐载和

IPC: H01L27/11573 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种半导体器件的晶体管，包括隔离区域、设置在隔离区域中的有源区域、在有源区域上沿第二方向延伸的栅极、以及分别在栅极的第一侧和第二侧上的有源区域中沿垂直于第二方向的第一方向延伸的源极和漏极区域。源极和漏极区域包括低浓度源极和漏极掺杂区域，该低浓度源极和漏极掺杂区域包括第一和第二低浓度源极和漏极掺杂区域。源极和漏极区域还包括高浓度源极和漏极掺杂区域，该高浓度源极和漏极掺杂区域分别设置在低浓度源极和漏极掺杂区域中并且具有高于低浓度源极和漏极掺杂区域的掺杂浓度。第一低浓度源极和漏极掺杂区域在第二方向上的第一长度大于第二低浓度源极和漏极掺杂区域在第二方向上的第二长度。