公开(公告)号：CN108256618B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201711499014.2

申请日：2017-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐熙权

IPC: G06K19/077

Abstract: 一种半导体集成卡包括外部封装、订户识别模块(SIM)电路、多个SIM引脚、存储设备和多个存储器引脚。SIM电路形成在外部封装的内部，并被配置为存储订户信息。SIM引脚形成在外部封装的表面上并且电连接到SIM电路。存储设备形成在外部封装的内部并与SIM电路分离。存储设备包括非易失性存储器件。存储器引脚形成在外部封装的表面上并且电连接到存储设备。

公开(公告)号：CN101312068B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810095327.6

申请日：2008-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐熙权 ,  孙汉求 ,  金世振

IPC: G06F12/00 ,  G11C7/10

CPC classification number: G06F13/4234 ,  G06F13/1694

Abstract: 示例实施例涉及一种可以包括共享公共总线的易失性存储器和非易失性存储器的半导体存储器系统以及用于控制非易失性存储器的操作的方法。所述半导体存储器系统可以包括非易失性存储器和存储器控制器。所述非易失性存储器可以包括临时存储将被从存储器单元阵列读取或将被写入存储器单元阵列的数据的缓冲存储器和内部控制器。所述存储器控制器可以响应于控制信号将模式信号传输到非易失性存储器，所述控制信号与将要施加到非易失性存储器的读取模式或写入模式对应。响应于模式信号，如果将要施加读取模式，则内部处理器可以控制将被读取的数据被存储在缓冲存储器中，如果将要施加写入模式，则内部控制器可以控制缓冲存储器等待直到接收到写入命令。

公开(公告)号：CN108256618A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711499014.2

申请日：2017-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐熙权

IPC: G06K19/077

Abstract: 一种半导体集成卡包括外部封装、订户识别模块(SIM)电路、多个SIM引脚、存储设备和多个存储器引脚。SIM电路形成在外部封装的内部，并被配置为存储订户信息。SIM引脚形成在外部封装的表面上并且电连接到SIM电路。存储设备形成在外部封装的内部并与SIM电路分离。存储设备包括非易失性存储器件。存储器引脚形成在外部封装的表面上并且电连接到存储设备。

公开(公告)号：CN101312068A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810095327.6

申请日：2008-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐熙权 ,  孙汉求 ,  金世振

IPC: G11C7/10

CPC classification number: G06F13/4234 ,  G06F13/1694

Abstract: 示例实施例涉及一种可以包括共享公共总线的易失性存储器和非易失性存储器的半导体存储器系统以及用于控制非易失性存储器的操作的方法。所述半导体存储器系统可以包括非易失性存储器和存储器控制器。所述非易失性存储器可以包括临时存储将被从存储器单元阵列读取或将被写入存储器单元阵列的数据的缓冲存储器和内部控制器。所述存储器控制器可以响应于控制信号将模式信号传输到非易失性存储器，所述控制信号与将要施加到非易失性存储器的读取模式或写入模式对应。响应于模式信号，如果将要施加读取模式，则内部处理器可以控制将被读取的数据被存储在缓冲存储器中，如果将要施加写入模式，则内部控制器可以控制缓冲存储器等待直到接收到写入命令。