公开(公告)号：CN110032038B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201811426612.1

申请日：2018-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁起豪 ,  张准荣 ,  金昌焕 ,  徐成寿

IPC: G03F1/36 ,  H01L21/336

Abstract: 在设计掩模的方法中，设计包括有源区、栅极结构、和栅极抽头的第一掩模，所述栅极抽头与所述有源区和所述栅极结构部分地重叠。改变所述第一掩模，使得所述栅极抽头的一部分延伸。对改变的第一掩模执行OPC以设计第二掩模。

公开(公告)号：CN110032038A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811426612.1

申请日：2018-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁起豪 ,  张准荣 ,  金昌焕 ,  徐成寿

IPC: G03F1/36 ,  H01L21/336

Abstract: 在设计掩模的方法中，设计包括有源区、栅极结构、和栅极抽头的第一掩模，所述栅极抽头与所述有源区和所述栅极结构部分地重叠。改变所述第一掩模，使得所述栅极抽头的一部分延伸。对改变的第一掩模执行OPC以设计第二掩模。