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发明公开
制造半导体器件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN116031209A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211311828.X

申请日：2022-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵槿汇 , 金珍圭 , 姜明吉 , 金洞院 , 徐基圣

IPC: H01L21/8238 , H01L27/092

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：形成从衬底沿第一方向延伸并具有第一区域和第二区域的半导体结构；形成与半导体结构的第一区域相交并沿垂直于第一方向的第二方向延伸的牺牲栅图案；减小半导体结构的暴露于牺牲栅图案的至少一侧的第二区域在第二方向上的宽度；通过去除半导体结构的第二区域的一部分来形成至少一个凹陷部分；在牺牲栅图案的至少一侧在半导体结构的凹陷部分中形成一个或多个源/漏区；通过去除牺牲栅图案形成至少一个间隙区；以及通过在间隙区沉积栅介电层和栅电极来形成栅结构。

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