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发明授权
半导体层叠结构以及使用半导体层叠结构分离氮化物半导体层的方法和装置有权转让

公开(公告)号：CN106688113B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201580048456.8

申请日：2015-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹义埈 , 文大荣 , 张正焕 , 朴容助 , 裵德圭

IPC: H01L33/22

Abstract: 根据本发明的半导体层叠结构包括：与氮化物半导体的相异的单晶衬底；在所述衬底上形成的无机薄膜，以在所述无机薄膜和所述衬底之间限定空腔，其中，至少一部分所述无机薄膜结晶为与所述衬底相同的晶体结构；以及从所述空腔上的结晶化无机薄膜生长的氮化物半导体层。根据本发明的用于分离氮化物半导体层的方法和装置在所述衬底和所述氮化物半导体层之间进行机械地分离。能够通过对衬底和氮化物半导体层沿垂直方向施加力的分离方法、通过沿水平方向施加力的分离方法、通过以相对圆周运动施加力的分离方法及其组合方法进行机械分离。

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