公开(公告)号：CN1534789A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410043071.6

申请日：2004-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴奎灿 ,  申光植 ,  张成男

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11534 ,  H01L29/42328

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器件及其制造方法。非易失性存储器件包括栅线，该栅线包括栅极电介质层、底部栅极图形、栅间电介质以及顶部栅极图形，它们都是顺序叠置的。该栅间电介质的宽度比该底部栅极图形的宽度窄。

公开(公告)号：CN100403542C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200410043071.6

申请日：2004-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴奎灿 ,  申光植 ,  张成男

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11534 ,  H01L29/42328

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器件及其制造方法。非易失性存储器件包括栅线，该栅线包括栅极电介质层、底部栅极图形、栅间电介质以及顶部栅极图形，它们都是顺序叠置的。该栅间电介质的宽度比该底部栅极图形的宽度窄。