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公开(公告)号:CN119852245A
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202410498253.X
申请日:2024-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体封装及其制造方法。半导体封装包括:第一半导体芯片;第二半导体芯片,在第一半导体芯片的顶表面上,并且具有小于第一半导体芯片的宽度;以及模制层,在第一半导体芯片上,并且围绕第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一半导体衬底和在第一半导体衬底的顶表面上的第一电路层。第一半导体衬底包括与第一半导体衬底的顶表面相邻的第一部分和与第一半导体衬底的底表面相邻的第二部分。第一部分和第二部分包括相同的半导体材料。第一部分具有单晶结构。第二部分可以具有多晶结构。
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公开(公告)号:CN119208261A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202410399988.7
申请日:2024-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体封装件包括:下半导体芯片,其包括第一电路层;上半导体芯片,其设置在下半导体芯片上并包括第二电路层;以及互连层,其设置在下半导体芯片与上半导体芯片之间,互连层包括:多个焊盘,该多个焊盘至少包括从下半导体芯片或上半导体芯片偏移的第一焊盘;以及布线部分,其水平地延伸并将多个焊盘中的第一焊盘连接到多个焊盘中的设置在下半导体芯片与上半导体芯片之间的第二焊盘,其中,互连层的布线部分将第一电路层电连接到第二电路层。
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