公开(公告)号：CN117998866A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311319284.6

申请日：2023-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志红 ,  张台锡 ,  崔贤默

IPC: H10B63/00 ,  H10B63/10 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 提供了半导体存储器装置和包括其的电子系统。所述半导体存储器装置包括：外围电路结构和堆叠在外围电路结构上的单元结构，其中，单元结构包括：单元基底，包括面对外围电路结构的第一面和与第一面相对的第二面；第一模制堆叠件件，包括顺序堆叠在第一面上的多个第一栅电极；沟道孔，延伸穿过所述多个第一栅电极；以及沟道结构，包括顺序堆叠在沟道孔中的栅极介电膜、半导体膜和可变电阻膜，并且其中，半导体膜包括与第一面和所述多个第一栅电极相交的侧壁部分，以及以平行于第一面的方式在单元基底中从侧壁部分延伸的顶板部分。

公开(公告)号：CN108231785B

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN201711390198.9

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光洙 ,  张台锡

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35

Abstract: 一种垂直半导体器件包括奇数单元块和偶数单元块、以及奇数块垫结构和偶数块垫结构。奇数单元块的每个包括包含在第一方向上交替堆叠的导电线和绝缘层的第一导电线结构。偶数单元块的每个包括具有与第一导电线结构基本相同的形状的第二导电线结构。奇数块垫结构连接到第一导电线结构的第一边缘部分。偶数块垫结构连接到第二导电线结构的与第一边缘部分相反的第二边缘部分。奇数单元块和偶数单元块的每个在第三方向上具有第一宽度。奇数块垫结构和偶数块垫结构的每个形成在衬底的具有在第三方向上大于第一宽度的第二宽度的区域上。

公开(公告)号：CN108231785A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711390198.9

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光洙 ,  张台锡

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556

Abstract: 一种垂直半导体器件包括奇数单元块和偶数单元块、以及奇数块垫结构和偶数块垫结构。奇数单元块的每个包括包含在第一方向上交替堆叠的导电线和绝缘层的第一导电线结构。偶数单元块的每个包括具有与第一导电线结构基本相同的形状的第二导电线结构。奇数块垫结构连接到第一导电线结构的第一边缘部分。偶数块垫结构连接到第二导电线结构的与第一边缘部分相反的第二边缘部分。奇数单元块和偶数单元块的每个在第三方向上具有第一宽度。奇数块垫结构和偶数块垫结构的每个形成在衬底的具有在第三方向上大于第一宽度的第二宽度的区域上。