半导体器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110504265B

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN201910202048.3

    申请日:2019-03-15

    Abstract: 一种半导体器件,包括:顺序设置在衬底上的第一单元至第四单元;第一扩散中断结构至第三扩散中断结构;配置为从衬底突出的第一鳍结构,第一鳍结构包括由第一扩散中断结构至第三扩散中断结构彼此分开的第一鳍至第四鳍;第二鳍结构,配置为从衬底突出,与第一鳍结构间隔开,第二鳍结构包括由第一扩散中断结构至第三扩散中断结构彼此分开的第五鳍至第八鳍;第一栅电极至第四栅电极,分别设置在第一单元至第四单元中,并且第一单元、第二单元和第四单元中的每一个中的鳍的数量是两个。

    半导体器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110504265A

    公开(公告)日:2019-11-26

    申请号:CN201910202048.3

    申请日:2019-03-15

    Abstract: 一种半导体器件,包括:顺序设置在衬底上的第一单元至第四单元;第一扩散中断结构至第三扩散中断结构;配置为从衬底突出的第一鳍结构,第一鳍结构包括由第一扩散中断结构至第三扩散中断结构彼此分开的第一鳍至第四鳍;第二鳍结构,配置为从衬底突出,与第一鳍结构间隔开,第二鳍结构包括由第一扩散中断结构至第三扩散中断结构彼此分开的第五鳍至第八鳍;第一栅电极至第四栅电极,分别设置在第一单元至第四单元中,并且第一单元、第二单元和第四单元中的每一个中的鳍的数量是两个。

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