公开(公告)号：CN101026093B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710079362.4

申请日：2007-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 库纳尔·吉罗特拉 ,  金秉浚 ,  梁成勋

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1296

Abstract: 一种制造硅层的方法，其包括：使用包括四氟化硅(SiF4)气体、三氟化氮(NF3)气体、SiF4-H2气体及其混合物中的至少一种的第一反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法对形成于基板上的氮化硅层的表面进行预处理。然后，使用第二反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法在预处理后的氮化硅层上形成硅层，所述第二反应气体包括包含四氟化硅(SiF4)、氢气(H2)和氩气(Ar)的混合气体。

公开(公告)号：CN101026093A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710079362.4

申请日：2007-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 库纳尔·吉罗特拉 ,  金秉浚 ,  梁成勋

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1296

Abstract: 一种制造硅层的方法，其包括：使用包括四氟化硅(SiF4)气体、三氟化氮(NF3)气体、SiF4－H2气体及其混合物中的至少一种的第一反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法对形成于基板上的氮化硅层的表面进行预处理。然后，使用第二反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法在预处理后的氮化硅层上形成硅层，所述第二反应气体包括包含四氟化硅(SiF4)、氢气(H2)和氩气(Ar)的混合气体。