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公开(公告)号：CN117715439A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311153883.5
申请日：2023-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00 , H01L23/538 , H01L23/535 , H01L21/768
Abstract: 一种磁存储器件可以包括基板、设置在基板上的数据存储图案以及在基板和数据存储图案之间的下接触插塞，下接触插塞可以包括下绝缘图案、在下绝缘图案上的下接触图案以及沿着下绝缘图案的下表面和侧表面以及下接触图案的侧表面延伸的下阻挡图案。
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