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公开(公告)号:CN101312144A
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200810127761.8
申请日:2008-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/00 , C23C16/458 , H01J37/32 , H05H1/00
CPC classification number: H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 一种用于高密度等离子设备的卡盘组件,包括:具有上表面和形成在外围部分中的多个销孔的卡盘,其中该卡盘的上表面配置成在其上接收一半导体衬底;衬底导引器设置在该卡盘外表面上,其中该衬底导引器被配置成防止定位在该卡盘上表面上的半导体衬底离开该卡盘;设置在该卡盘的下部的固定板;固定在该固定板上并且沿从该固定板向上的方向中延伸的多个升降销,以便每一个升降销分别插入多个销孔中的一个,其中每一个升降销具有延伸到邻近该卡盘上表面的位置的上表面;和穿过该固定板并且与卡盘的下部啮合的卡盘升降机,其中该卡盘升降机被配置为向上和向下移动该卡盘。
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公开(公告)号:CN114943677A
公开(公告)日:2022-08-26
申请号:CN202210070494.5
申请日:2022-01-21
Applicant: 三星电子株式会社 , 奥普特玛股份有限公司
Abstract: 公开了一种缺陷检测方法以及利用其的半导体装置的制造方法。所述缺陷检测方法中,在台面上布置基板。利用光扫描所述基板表面而获得二维图像。从所述二维图像检测缺陷位置。在与所述缺陷位置对应的各个像素上执行强度分布处理而生成三维图像信息。根据所述三维图像信息显示三维映射图。
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